金融界 2024 年 8 月 23 日消息，天眼查知识产权信息显示，成都宏科电子科技有限公司申请一项名为“一种具有高介低损高温度稳定型的芯片电容用介质陶瓷材料及其制备方法和应用“，公开号 CN9.7，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种具有高介低损高温度稳定型的芯片电容用介质陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及电容用介质材料及其制备方法和应用的技术领域，包括芯层和壳层，该陶瓷材料由 BaTiO3 主晶相和掺杂物组成，所述 BaTiO3 主晶位于芯层；所述掺杂物包括壳层掺杂物和芯层掺杂物，所述壳层掺杂物的熔点低于所述芯层掺杂物的熔点。发明提供的 BaTiO3 基芯片电容用 2B1‑332 介质陶瓷材料，性能指标需满足：介电常数为 3300 左右，介质损耗小于 2.0％@1kHz，介质损耗小于 3.0％@1MHz，电容量随温度变化率（‑55℃～+125℃）为 0±10％，满足国防需求。

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